IGBT транзистор ON Semiconductor FGL40N120AND 1200v 64a для сварочных аппаратов, ИБП, зарядных устройств
Технические параметры
Структура n-канал+диод
Максимальное напряжение кэ ,В 1200
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 64
Мощность макс.,Вт 500
Температурный диапазон,С -55…+150
Корпус to- 264