IGBT транзистор 10шт Infineon H30R1602 1600v 30a для индукциoнных плит
Технические параметры:
Корпус: TO-247
Структура: MOS-N-IGBT+Di
Напряжение коллектор-эмиттер максимальное (Vces): 1600V
Ток коллектора максимальный (Ic): 30A
Мощность максимальная (Pd): 312W
Подходят для индукционных плит: Indоkоr, Gаstrоrаg, Аirhоt